測(cè)量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑的案例分析

發(fā)布日期：2022-04-08      瀏覽次數(shù)：591

測(cè)量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑的案例分析

可以測(cè)量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。






硅襯底上氧化膜的測(cè)量




F54顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)是結(jié)合了微小區(qū)域的高精度膜厚/光學(xué)常數(shù)分析功能和自動(dòng)高速平臺(tái)的系統(tǒng)。它與 2 英寸至 450 毫米的硅基板兼容，并以以前無(wú)法想象的速度在規(guī)定點(diǎn)測(cè)量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用選擇1 μm至100 μm。

主要特點(diǎn)

• 將基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)

• 兼容 5x 至 50x 物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用從 1 μm 更改為 100 μm。

• 兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

主要用途

半導(dǎo)體	抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 拋光硅片、化合物半導(dǎo)體、?T襯底等。
平板	有機(jī)薄膜、聚酰亞胺、ITO、cell gap等